工厂包装数量 | 2000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.3 V |
直流电流增益hFE最大值 | 240 |
晶体管极性 | PNP |
安装风格 | Through Hole |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装 | Tube |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 30 V |
发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
集电极 - 基极电压VCBO | - 30 V |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 10 W |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
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